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数量:2086 |
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| 规格书 |
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| 包装 | 8TDSON EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| RDS -于 | 7.2@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 4 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 典型下降时间 | 25 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 16 V |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 系列 | IPG20N04 |
| RDS（ON） | 8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 65 W |
| 封装/外壳 | TDSON-8 |
| 零件号别名 | IPG20N04S4L07ATMA1 SP000705484 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 宽度 | 5.15 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | OptiMOS |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| 长度 | 5.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 mOhms |
| 身高 | 1.27 mm |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| 技术 | Si |
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